[实用新型]等离子体约束装置及利用该等离子体约束装置的等离子体处理装置有效
申请号: | 200920071398.2 | 申请日: | 2009-04-30 |
公开(公告)号: | CN201514924U | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 陈金元;周宁;欧阳亮;吴狄;徐朝阳;杜志游;尹志尧 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H05H1/02;H01L21/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置,其设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间。所述等离子体约束装置包括相互间隔设置并形成狭长通道的多个环。所述狭长通道具有变深宽比和变通道宽的结构。该等离子体约束装置不仅能将等离子体约束在处理区域内,减少因等离子体扩散而引起的处理腔室污染问题,而且可以大大增加处理腔室的排气效率,减少使用过的反应气体和副产品气体停留在处理腔窒内的时间。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 约束 装置 利用 处理 | ||
【主权项】:
一种等离子体约束装置,设置于一等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间,所述等离子体约束装置包括相互间隔设置并形成若干个狭长通道的多个同心环,所述等离子体约束装置包括靠近下电极的第一区域和远离下电极的第二区域,其特征在于:所述等离子体约束装置的第一区域上所形成的若干狭长通道的宽度小于第二区域上所形成的若干狭长通道的宽度,并且所述等离子体约束装置的第一区域上所形成的若干狭长通道的深宽比大于第二区域上所形成的若干狭长通道的深宽比。
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