[实用新型]湿法处理机台无效
申请号: | 200920073967.7 | 申请日: | 2009-05-26 |
公开(公告)号: | CN201536101U | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 梁顺远;董锐;张传民 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种湿法处理机台,在晶舟授台上靠近晶舟两侧的位置上下分别安装一组对射传感器,每组对射传感器的发射单元和接收单元分别安装在晶舟所置放的晶舟授台上及晶舟并拢初始位置上方的固定件上,当硅片倒下或斜出时,传感器对射光线被遮挡,传感器的输出电压将发生变化。在控制系统的并拢信号输出端到并拢汽缸中间加入并拢信号传递控制逻辑电路,利用对射传感器的输出电压的变化截取控制系统向并拢汽缸发送的并拢信号,实现在晶舟并拢前检测晶舟上的硅片是否有倒片,当有倒片时机械手将不搬送晶舟到处理槽进行处理,还可以同时给出报警,避免撞碎倒片。 | ||
搜索关键词: | 湿法 处理 机台 | ||
【主权项】:
一种湿法处理机台,包括并拢汽缸、晶舟授台、晶舟并拢初始位置传感器、晶舟并拢目标位置传感器、晶舟、机械手、处理槽及控制系统;晶舟置于晶舟授台之上,并拢汽缸驱动晶舟授台在晶舟并拢初始位置及晶舟并拢目标位置间移动,各晶舟授台从硅片接受位置移动到晶舟并拢初始位置后,晶舟并拢初始位置传感器发送并拢初始位置到达信号到控制系统,控制系统收到并拢初始位置到达信号后发并拢信号,并拢汽缸收到并拢信号后驱动晶舟授台移动从而将各晶舟从晶舟并拢初始位置移动到晶舟并拢目标位置,各晶舟移动到晶舟并拢目标位置后,晶舟并拢目标位置传感器发送并拢目标位置到达信号到控制系统,控制系统收到并拢目标位置到达信号后,再控制机械手搬送晶舟到处理槽进行处理;其特征在于,还包括多组对射传感器、一并拢信号传递控制逻辑电路,一组对射传感器的发射单元同接收单元位置不相对应时接收单元不能接收到发射单元的信号,置于晶舟授台之上的每一晶舟左右两侧的上下位置分别安装一组对射传感器,每组对射传感器的发射单元和接收单元分别安装在晶舟所置放的晶舟授台上及晶舟并拢初始位置上方的固定件上,当晶舟授台位于晶舟并拢初始位置时,各组射传感器的发射单元和接收单元位置相对应;各组对射传感器的输出及控制系统的并拢信号输出端接所述并拢信号传递控制逻辑电路,所述并拢信号传递控制逻辑电路的输出接并拢汽缸控制信号接受端,当各组对射传感器接收单元都接收到发射单元的信号时,所述并拢信号传递控制逻辑电路输出控制系统的并拢信号到并拢汽缸控制信号接受端,当任何一组对射传感器接收单元接收不到发射单元的信号时,所 述并拢信号传递控制逻辑电路迟延一设定时间断开控制系统到并拢汽缸的并拢信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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