[实用新型]一种退火装置有效
| 申请号： | 200920075830.5 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN201562667U | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;刘盛;何伟业;聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型揭露了一种退火装置，包括至少两个退火腔室，其中，所述每个退火腔室具有分进气管和分出气管，所述每个退火腔室的分进气管通过一总进气管相连通，所述每个退火腔室的分出气管通过一总出气管相连通。本实用新型提供的退火装置，通过每个退火腔室采用各自的进气管和出气管，实现保护气在每个退火腔室内的同步加热，从而消除了退火腔室之间的温度及温度缓变率差异，保证了退火后的晶圆的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种退火装置，包括至少两个退火腔室，其特征在于，所述每个退火腔室具有分进气管和分出气管；所述每个退火腔室的分进气管通过一总进气管相连通，所述每个退火腔室的分出气管通过一总出气管相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
