[实用新型]一种用于MOSFET封装的引线框架无效
| 申请号： | 200920091302.9 | 申请日： | 2009-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN201435388Y | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈泽亚;郑香舜;张长明 | 申请（专利权）人： | 晶诚(郑州)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L29/78 |
| 代理公司： | 郑州天阳专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 聂孟民 |
| 地址： | 450016河南省郑州市经*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及用于MOSFET封装的引线框架，可有效解决原材料浪费，生产成本高，芯片质量差，封装良品率低的问题，其解决的技术方案是，包括有基岛、管脚、导线、焊接区、管脚焊线区，基岛上装有芯片槽，芯片槽内的芯片经导线由管脚焊线区同源级框架管脚相接，芯片槽内的芯片经栅级导线同栅级框架管脚相连，芯片槽内的芯片与漏级框架管脚相连，芯片槽外有封装料封胶体，将芯片封装在封装槽内，本实用新型结构简单、新颖，节省材料，制造成本低，易操作使用，成品率高，是MOSFET封装的引线框架上的创新。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mosfet 封装 引线 框架 | ||
【主权项】：
1、一种用于MOSFET封装的引线框架，包括有基岛、管脚、导线、焊接区、管脚焊线区，其特征在于，基岛(1)上装有芯片槽(2)，芯片槽(2)内的芯片经导线(3)由管脚焊线区(5)同源级框架(6)管脚相接，芯片槽(2)内的芯片经栅级导线(4)同栅级框架(8)管脚相连，芯片槽(2)内的芯片与漏级框架(7)管脚相连，芯片槽(2)外有封装料封胶体(10)。
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