[实用新型]一种磁控和脉冲激光共沉积装置有效
| 申请号： | 200920101609.2 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN201358298Y | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘保亭;李晓红;赵庆勋;郭庆林;王英龙 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人： | 王 琪 |
| 地址： | 071002河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种磁控和脉冲激光共沉积装置，其特征在于：在一个真空腔体中设置有磁控溅射靶材和脉冲激光沉积靶材和一个共用的样品台，样品台上固定沉积基片，真空腔体上开设石英窗，真空腔体外设置有用于脉冲激光沉积的激光器；磁控溅射靶材的调位机构；脉冲激光沉积靶材的转动控制机构和样品台的转动控制机构。本实用新型可以在同一套物理气相沉积系统中同时进行磁控溅射和脉冲激光沉积，充分发挥磁控溅射和脉冲激光沉积各自的优势，利用磁控溅射生长纳米薄膜结构，且在其生长的过程中利用脉冲激光沉积共溅射出一些零维或一维的纳米结构，从而实现零-三维或一-三维纳米复合纳米结构的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 激光 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1、一种磁控和脉冲激光共沉积装置，其特征在于：在一个真空腔体(9)中设置有磁控溅射靶材(1)和脉冲激光沉积靶材(5)和一个共用的样品台(2)，样品台上固定沉积基片(3)，真空腔体上开设石英窗(6)，真空腔体外设置有用于脉冲激光沉积的激光器(8)，磁控溅射靶材(1)的调位机构(12)，脉冲激光沉积靶材(5)的转动控制机构和样品台(2)的转动控制机构(15)。
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