[实用新型]高耐压可控硅触发变压器有效

专利信息
申请号: 200920108161.7 申请日: 2009-05-19
公开(公告)号: CN201532846U 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 王长炉 申请(专利权)人: 北京新创四方电子有限公司
主分类号: H01F30/06 分类号: H01F30/06;H01F27/30;H01F27/26;H01F27/24;H01F27/28;H01F27/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101111 北京市通州区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种高耐压全封闭式可控硅触发变压器,通过采用独特的套筒式结构,用两个骨架配合的方法来解决耐压问题。初级线圈和次级线圈分别平绕在初次级骨架上,再分别与初次级骨架上的引出脚插针相连接,将初级骨架插入次级骨架中,两骨架紧密配合,骨架中心相对插入磁芯(6),并用磁芯胶粘牢。装配好后装入外壳中,用环氧树脂灌封成一个全封闭的器件。这样,本实用新型体积小巧,结构紧凑,外形美观,抗电强度也极高。
搜索关键词: 耐压 可控硅 触发 变压器
【主权项】:
高耐压可控硅触发变压器,其特征是:由EER型磁芯,初级骨架图(1),次级骨架图(2)和外壳构成,初次级线圈分别在初次级骨架上绕制,绕制好线圈后初级骨架插入次级骨架中,两个EER型磁芯相对插入骨架中心,用磁芯胶粘合,装配好的骨架、磁芯放入外壳内,并用环氧树脂灌注。
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