[实用新型]高耐压可控硅触发变压器有效
申请号: | 200920108161.7 | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN201532846U | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 王长炉 | 申请(专利权)人: | 北京新创四方电子有限公司 |
主分类号: | H01F30/06 | 分类号: | H01F30/06;H01F27/30;H01F27/26;H01F27/24;H01F27/28;H01F27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 101111 北京市通州区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种高耐压全封闭式可控硅触发变压器,通过采用独特的套筒式结构,用两个骨架配合的方法来解决耐压问题。初级线圈和次级线圈分别平绕在初次级骨架上,再分别与初次级骨架上的引出脚插针相连接,将初级骨架插入次级骨架中,两骨架紧密配合,骨架中心相对插入磁芯(6),并用磁芯胶粘牢。装配好后装入外壳中,用环氧树脂灌封成一个全封闭的器件。这样,本实用新型体积小巧,结构紧凑,外形美观,抗电强度也极高。 | ||
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【主权项】:
高耐压可控硅触发变压器,其特征是:由EER型磁芯,初级骨架图(1),次级骨架图(2)和外壳构成,初次级线圈分别在初次级骨架上绕制,绕制好线圈后初级骨架插入次级骨架中,两个EER型磁芯相对插入骨架中心,用磁芯胶粘合,装配好的骨架、磁芯放入外壳内,并用环氧树脂灌注。
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