[实用新型]金属射频反应室有效
| 申请号： | 200920109665.0 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN201438453U | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 刘薇;王广明 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种金属射频反应室，设有腔体、电极板，其特征在于：所述腔体(1)为不锈钢材质的方形腔体，其前面设有不锈钢门(2)，腔体内壁的左右侧面分别设有射频电极板(3.1、3.2)，所述腔体底部设有可转动的工件托盘(4)，工件托盘通过连接轴与腔体外的电机(5)传动连接，所述腔体内顶部设有多孔气体导流板(6)，腔体顶板上设有进气孔(7)，腔体底板上设有与真空泵连接的排气管(8)。所述腔体上设有工艺观查窗(10)和真空检测口(9)。本实用新型适用于硅片加工，结构新颖，操作灵活，加工效果好，使用寿命长，对环境不污染。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 射频 反应 | ||
【主权项】：
一种金属射频反应室，设有腔体、电极板，其特征在于：所述腔体(1)为不锈钢材质的方形腔体，其前面设有不锈钢门(2)，腔体内壁的左右侧面分别设有射频电极板(3.1、3.2)，所述腔体底部设有可转动的工件托盘(4)，工件托盘通过连接轴与腔体外的电机(5)传动连接，所述腔体内顶部设有多孔气体导流板(6)，腔体顶板上设有进气孔(7)，腔体底板上设有与真空泵连接的排气管(8)，所述腔体上设有工艺观查窗(10)和真空检测口(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
