[实用新型]一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻无效
| 申请号： | 200920112833.1 | 申请日： | 2009-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN201340772Y | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 陈锋;奚剑雄 | 申请（专利权）人： | 杭州硅星科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C13/00 | 分类号： | H01C13/00;H01L27/02;H03H11/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 周 烽 |
| 地址： | 310012浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻，在单管有源MOSFET的基础上并联一个MOSFET，并通过对并联的两MOSFET进行对称地偏置实现了电阻值大，线性度好，成本低的目的，适用于集成电路设计所有需要用到高线性度大电阻的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性化 阻值 mosfet 有源 电阻 | ||
【主权项】：
1、一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻，其特征在于，它主要由第一电流源(1)、第三NMOS管(2)、第一NMOS管(3)、第二NMOS管(5)、第三电流源(6)和第四NMOS管(7)组成；其中，所述第一NMOS管(3)的漏极与第二NMOS管(5)的漏极相连，第一NMOS管(3)的源极与第二NMOS管(5)的源极相连，第一NMOS管(3)的源极与第三NMOS管(2)的源极相连，第一NMOS管(3)的栅极与第三NMOS管(2)的栅极相连，第三NMOS管(2)的栅极与第三NMOS管(2)的漏极相连，第三NMOS管(2)的漏极与第一电流源(1)的电流流出端相连；第二NMOS管(5)的漏极还与第四NMOS管(7)的源极相连，第二NMOS管(5)的栅极与第四NMOS管(7)的栅极相连，第四NMOS管(7)的栅极与第四NMOS管(7)的漏极相连，第四NMOS管(7)的漏极与第三电流源(6)的电流流出端相连。
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