[实用新型]一种半导体的封装结构无效

专利信息
申请号: 200920119213.0 申请日: 2009-05-05
公开(公告)号: CN201438460U 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 段康胜 申请(专利权)人: 宁波明昕微电子股份有限公司
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L23/14;H01L23/498;H01L23/06
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 胡志萍
地址: 315040 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种半导体的封装结构,其特征在于:包括金属衬底,该金属衬底的表面上焊接有一陶瓷片,该陶瓷片的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的第一芯片粘接片和第二芯片粘接片,第一芯片粘接片上设置有第一外接电极端,第二芯片粘接片上设置有第二外接电极端,一悬空的与第一外接电极端、第二外接电极端并排设置的第三外接电极端,第一半导体芯片的背面粘接在第一芯片粘接片的表面上,第二半导体芯片的背面粘接在第二芯片粘接片的表面上,第一半导体芯片的正面通过导电线与第二芯片粘接片的表面相连,第二半导体芯片的正面通过导电线与第三外接电极端相连。采用这种封装结构的半导体具有较好的功率和较好的散热性。
搜索关键词: 一种 半导体 封装 结构
【主权项】:
一种半导体的封装结构,其特征在于:包括金属衬底(1),该金属衬底(1)的表面上焊接有一陶瓷片(2),该陶瓷片(2)的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的第一芯片粘接片(31)和第二芯片粘接片(32),第一芯片粘接片(31)上设置有第一外接电极端(41),第二芯片粘接片(32)上设置有第二外接电极端(42),一悬空的与第一外接电极端(41)、第二外接电极端(42)并排设置的第三外接电极端(53),该第三外接电极端(53)与金属衬底(1)、第一芯片粘接片(31)和第二芯片粘接片(32)均不连接,第一半导体芯片(51)的背面粘接在第一芯片粘接片(31)的表面上,第二半导体芯片(52)的背面粘接在第二芯片粘接片(32)的表面上,第一半导体芯片(51)的正面通过导电线与第二芯片粘接片(32)的表面相连,第二半导体芯片(52)的正面通过导电线与第三外接电极端(43)相连。
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