[实用新型]HIT太阳电池有效
| 申请号： | 200920124019.1 | 申请日： | 2009-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN201478322U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李志强;季凯春;陈筑;易月星;杨玉光;胡宏勋 | 申请（专利权）人： | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/06;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 33228 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315177 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种HIT太阳电池，包括N型单晶硅片、N型单晶硅片的正面的本征非晶硅薄膜，在正面的本征非晶硅薄膜上沉积的P型重掺非晶硅薄膜；在P型重掺非晶硅薄膜上镀有的正面的透明导电薄膜，在正面的透明导电薄膜上印刷有的银金属栅线正电极；N型单晶硅片的背面的本征非晶硅薄膜，在背面的本征非晶硅薄膜上沉积的N型重掺非晶硅薄膜，在N型重掺非晶硅薄膜上镀有的背面的透明导电薄膜，在背面的透明导电薄膜上印刷有银金属栅线背电极，它还包括至少一层本征非晶硅层，所述的本征非晶硅层的每层厚度为0.5～10nm。本实用新型的HIT太阳电池可以减少缺陷复合中心，降低暗电流、提高电池的开路电压和填充因子。 | ||
| 搜索关键词： | hit 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种HIT太阳电池，包括N型单晶硅片(6)、N型单晶硅片(6)的正面的本征非晶硅薄膜(5)，在正面的本征非晶硅薄膜(5)上沉积的P型重掺非晶硅薄膜(4)；在P型重掺非晶硅薄膜(4)上镀有的正面的透明导电薄膜(2)，在正面的透明导电薄膜(2)上印刷有的银金属栅线正电极(1)；N型单晶硅片(6)的背面的本征非晶硅薄膜(7)，在背面的本征非晶硅薄膜(7)上沉积的N型重掺非晶硅薄膜(8)，在N型重掺非晶硅薄膜(8)上镀有的背面的透明导电薄膜(10)，在背面的透明导电薄膜(10)上印刷有银金属栅线背电极(11)，其特征在于：它还包括至少一层本征非晶硅层，所述本征非晶硅层的每层厚度为0.5～10nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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