[实用新型]一种用于APD突发入射光强度探测电路有效
| 申请号： | 200920133081.7 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN201429467Y | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 何红档 | 申请（专利权）人： | 深圳新飞通光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44;H04B10/158 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种用于APD突发入射光强度探测电路，包括：一输入端接反向偏置电压VH的APD保护电路、一APD雪崩光电二极管、一前置跨导放大器TIA、一接收复位电路和一限幅放大器，还包括一PNP电流镜像电路，该电路包括：第一PNP三极管和第二PNP三极管，两三极管的基极相对接，两发射极与APD保护电路输出端连接，第二PNP三极管的集电极分三路连接：第一路连接一恒流源，该恒流源的另一端接地，第二路连接其基极，第三路连接APD雪崩光电二极管的阴极；第一PNP三极管的集电极连接一TVS瞬态电压抑制二极管的阴极，该瞬态电压抑制二极管的阳极端连接一端接地的电流采样电阻以及一采样保持电路及量化处理电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 apd 突发 入射 强度 探测 电路 | ||
【主权项】：
1、一种用于APD突发入射光强度探测电路，包括：一输入端接反向偏置电压VH的APD保护电路、一APD雪崩光电二极管、一前置跨导放大器TIA、一接收复位电路和一限幅放大器，其特征在于，还包括一PNP电流镜像电路(108)，该电路包括：第一PNP三极管(102)和第二PNP三极管(103)，两三极管的基极相对接，两发射极与所述APD保护电路输出端连接，所述第二PNP三极管(103)的集电极分三路连接：第一路连接一恒流源(106)，该恒流源的另一端接地，第二路连接其基极，第三路连接所述APD雪崩光电二极管的阴极；所述第一PNP三极管(102)的集电极连接一TVS瞬态电压抑制二极管(104)的阴极，该瞬态电压抑制二极管(104)的阳极端连接一接地的电流采样电阻(105)以及一采样保持电路及量化处理电路(107)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳新飞通光电子技术有限公司，未经深圳新飞通光电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920133081.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可调节的自动浇花器
- 下一篇：沙漠植树用环保保水纸箱
