[实用新型]一种半导体二极管芯片有效
| 申请号： | 200920135350.3 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN201383498Y | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 曾国修 | 申请（专利权）人： | 百圳君耀电子(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体二极管芯片，包括二极管芯片本体，其特征在于：所述二极管芯片本体上依次设有氧化层与玻璃钝化保护层。所述二极管芯片本体上设有台阶。所述台阶与台面之间的高度为5～20um。所述二极管芯片台阶处PN结深大于台面处PN结深，其结深比为1.1-2。本实用新型提供的二极管芯片，从结构上为氧化层加玻璃层两层钝化保护，且增加一个台阶结构，台阶高度优先选择5-20um。此结构设计在实际生产中可以很好的解决低压浅结产品因钝化层玻璃包覆不好而造成的器件不稳定现象，提高器件的产品良品率和产品可靠性，并使生产工艺更稳定且易于控制。同时由于台阶处的PN结深大于台面处的PN结深，可大幅提升产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种半导体二极管芯片，包括二极管芯片本体，其特征在于：所述二极管芯片本体上依次设有氧化层与玻璃钝化保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于百圳君耀电子(深圳)有限公司，未经百圳君耀电子(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920135350.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电冰箱及其微冻室
- 下一篇：一种太阳能热泵热水器
- 同类专利
- 专利分类
