[实用新型]一种高光电转化效率的薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 200920142680.5 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN201402813Y | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 陈良范;罗毅;沈峰;龚瑞;马磊;赵建华 | 申请（专利权）人： | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 233030*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高光电转化效率的薄膜太阳能电池，包括有玻璃衬底、氧化锡掺氟透明导电薄膜层、P型非晶硅薄膜层、I型非晶硅薄膜层、N型非晶硅薄膜层、金属背电极，所述的N型非晶硅薄膜层、金属背电极之间有氧化锌掺铝透明导电薄膜层。在溅射Al或Ag背电极之前，采用磁控溅射的方法，沉积一层氧化锌掺铝(AZO)透明导电薄膜。这种新型的电池结构，相对于传统的电池结构，短路电流增大了5％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 转化 效率 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1、一种高光电转化效率的薄膜太阳能电池，包括有玻璃衬底、氧化锡掺氟透明导电薄膜层、P型非晶硅薄膜层、I型非晶硅薄膜层、N型非晶硅薄膜层、金属背电极，其特征在于：所述的N型非晶硅薄膜层、金属背电极之间有氧化锌掺铝透明导电薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
