[实用新型]新型巨磁阻集成电流传感器无效
| 申请号： | 200920153359.7 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN201622299U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 钱正洪 | 申请（专利权）人： | 钱正洪 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R15/20 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人： | 戴晓翔 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 新型巨磁阻集成电流传感器，属于电流测量装置技术领域。现有技术为电流互感器、霍尔电流传感器，测试频率范围窄，体积大，能耗较高，温度特性较差。本实用新型其特征在于包括：位于基底上的4个GMR磁敏电阻单元及其电连接所构成的GMR惠斯通电桥、位于GMR惠斯通电桥上方的集成电流导线，所述的集成导线和GMR惠斯通电桥之间由一层绝缘层隔离，其优点在于利用GMR惠斯通电桥检测集成电流导线中流过的电流，将电流产生的磁信号转换为电信号输出，响应速度快、测试频率范围广、稳定性好，可通过为精细加工工艺制造层状结构，工艺简单，便于制造，体积小、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 磁阻 集成 电流传感器 | ||
【主权项】：
新型巨磁阻集成电流传感器，其特征在于包括：位于基底上的4个GMR磁敏电阻单元及其电连接所构成的GMR惠斯通电桥、位于GMR惠斯通电桥上方的集成电流导线，所述的集成导线和GMR惠斯通电桥之间由一层绝缘层隔离。
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