[实用新型]一种参考电压电路有效
| 申请号： | 200920153847.8 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN201435022Y | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张美玲;胡林辉;陆云;程坤 | 申请（专利权）人： | BCD半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 英属开曼群岛开曼*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种参考电压电路，包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管，所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同，其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂，第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。采用相同的阈值调节注入技术，可以使两个NMOS晶体管的导电沟道分布完全相同，这样可以使两个NMOS晶体管的阈值电压和跨导随温度变化的程度相同，从而由这两个NMOS晶体管构成的参考电压电路输出的电压随工艺变化很小，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 参考 电压 电路 | ||
【主权项】：
1、一种参考电压电路，包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管，其特征在于，所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同，其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂，第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。
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