[实用新型]测定多晶硅中磷、硼的含量的系统有效
| 申请号： | 200920156146.X | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN201421443Y | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张瑞云;迈克·杰尼根 | 申请（专利权）人： | 重庆大全新能源有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 404000重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种测定多晶硅硼和磷含量的系统，包括：用于制造样品单晶硅的样品单晶硅棒制成装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的导电类型的导电类型测定装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的电阻率的电阻率测定装置；与所述导电类型测定装置和电阻率测定装置相连的硼磷含量计算器，用于根据测定的导电类型和电阻率计算所述多晶硅中硼和磷的含量。本实用新型通过测得样品单晶硅棒的头部和样品单晶硅棒中设定位置的导电类型和电阻率，利用硼磷的分凝系数与硼磷含量差量计算关系式，使得通过硼磷含量计算器即可得出单晶硅中硼和磷的含量。从而节约了多晶硅中的硼磷含量的测定设备和时间。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 多晶 硅中磷 含量 系统 | ||
【主权项】：
1、一种测定多晶硅硼和磷含量的系统，其特征在于，包括：用于制造样品单晶硅的样品单晶硅棒制成装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的导电类型的导电类型测定装置；用于测定所述单晶硅棒头部和所述单晶硅棒中设定位置的电阻率的电阻率测定装置；与所述导电类型测定装置和电阻率测定装置相连的硼磷含量计算器，用于根据测定的导电类型和电阻率计算所述多晶硅中硼和磷的含量。
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