[实用新型]一种快速晶闸管无效
申请号: | 200920189621.3 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN201667335U | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 王勇;张海鹏 | 申请(专利权)人: | 杭州汉安半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082;H01L29/94;H01L29/41 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种KK200A-KK1600A系列快速晶闸管。本实用新型包括中心门极,齿轮式放大门极内基圆,凸起式放大门极外基圆,渐开线式放大门极分指,以内圆和外圆为边界的边缘倒角,以及常规短路点。本实用新型一种快速晶闸管,其特征在于渐开线式放大门极分指铝层与中心放大门极相连。本实用新型有助于提高采用该系列器件设计制作的整机系统的相关性能,具有更加良好的市场前景、有利于明显提高该系列器件及其相关整机系统产品的经济效益和社会效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 晶闸管 | ||
【主权项】:
一种快速晶闸管,其特征在于:该器件结构包括圆形中心门极(1),在沿径向距离圆形中心门极(1)外缘一定距离处设有具有齿轮式放大门极内基圆(2,7)、凸起式放大门极外基圆(3)和渐开线式放大门极分指(4)的渐开线多指放大门极,所述渐开线多指放大门极指数随器件规格升高而适当增加,在沿径向距离所述渐开线式放大门极分指(4)末端一定距离处设置以内圆(5)和外圆(6)为边界的边缘倒角,在圆形中心门极(1)和渐开线多指放大门极以外的阴极面上以一定的密度和规则分布一定直径的圆形常规短路点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州汉安半导体有限公司,未经杭州汉安半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200920189621.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的