[实用新型]一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 200920190766.5 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN201478313U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 程知群;胡莎;周肖鹏;周伟坚 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。传统技术无法满足高功率器件的要求。本实用新型器件包括基底，基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层，晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上。其中基底为蓝宝石、硅或碳化硅、缓冲层为GaN、插入层为Al0.04Ga0.96N、隔离层为AlN、势垒层为非掺杂Al0.27Ga0.73N、栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。本实用新型通过改变器件的外延层结构，同时优化外延层结构的相关参数，使得器件在工作时栅极电压跨导变化很小，也即器件具有较高的线性度和较高的特征频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 线性 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管，包括基底，其特征在于：基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层，晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上；所述的基底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅；所述的缓冲层为厚度是2.5μm的GaN；所述的插入层为厚度是8nm的Al0.04Ga0.96N；所述的隔离层为厚度是1nm AlN；所述的势垒层为厚度是22nm非掺杂Al0.27Ga0.73N；所述的栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。
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