[实用新型]一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管无效

专利信息
申请号: 200920190766.5 申请日: 2009-08-06
公开(公告)号: CN201478313U 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 程知群;胡莎;周肖鹏;周伟坚 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。传统技术无法满足高功率器件的要求。本实用新型器件包括基底,基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层,晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上。其中基底为蓝宝石、硅或碳化硅、缓冲层为GaN、插入层为Al0.04Ga0.96N、隔离层为AlN、势垒层为非掺杂Al0.27Ga0.73N、栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。本实用新型通过改变器件的外延层结构,同时优化外延层结构的相关参数,使得器件在工作时栅极电压跨导变化很小,也即器件具有较高的线性度和较高的特征频率。
搜索关键词: 一种 高频 线性 氮化 电子 迁移率 晶体管
【主权项】:
一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管,包括基底,其特征在于:基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层,晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上;所述的基底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅;所述的缓冲层为厚度是2.5μm的GaN;所述的插入层为厚度是8nm的Al0.04Ga0.96N;所述的隔离层为厚度是1nm AlN;所述的势垒层为厚度是22nm非掺杂Al0.27Ga0.73N;所述的栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200920190766.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top