[实用新型]一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管无效
申请号: | 200920190766.5 | 申请日: | 2009-08-06 |
公开(公告)号: | CN201478313U | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 程知群;胡莎;周肖鹏;周伟坚 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管。传统技术无法满足高功率器件的要求。本实用新型器件包括基底,基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层,晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上。其中基底为蓝宝石、硅或碳化硅、缓冲层为GaN、插入层为Al0.04Ga0.96N、隔离层为AlN、势垒层为非掺杂Al0.27Ga0.73N、栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。本实用新型通过改变器件的外延层结构,同时优化外延层结构的相关参数,使得器件在工作时栅极电压跨导变化很小,也即器件具有较高的线性度和较高的特征频率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高频 线性 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】:
一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管,包括基底,其特征在于:基底上依次外延生长有缓冲层、插入层、隔离层、势垒层,晶体管的栅极、源极和漏极位于势垒层上;所述的基底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅;所述的缓冲层为厚度是2.5μm的GaN;所述的插入层为厚度是8nm的Al0.04Ga0.96N;所述的隔离层为厚度是1nm AlN;所述的势垒层为厚度是22nm非掺杂Al0.27Ga0.73N;所述的栅极金属为镍/金、源极金属为钛/铝/镍/金、漏极金属为钛/铝/镍/金。
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