[实用新型]多功能离子束复合处理系统无效
| 申请号： | 200920199384.9 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN201517129U | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张高会;李红卫;万向明;武建军;郑顺奇;焦志伟;于明州;周云;黄国青 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/48;C23C14/46 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人： | 王桂名;余华康 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种多功能离子束复合处理系统，包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置，真空室连接真空泵，离子注入装置安装在真空室上部，真空室内部设有样品台，样品台位于离子注入装置下方；离子注入装置包括气体离子源和金属离子源，磁控溅射装置为磁控溅射靶，磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源，金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部，金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。本实用新型集离子注入、磁控溅射、金属离子注入于一体，磁控溅射后(或磁控溅射时)既可以注入气体离子，也可以在注入气体离子的时候，还可以外加注入金属离子，从而既提高了沉积速度，又可以增加改性层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 多功能 离子束 复合 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种多功能离子束复合处理系统，其特征在于：所述复合处理系统包括真空室、离子注入装置和磁控溅射装置，真空室连接真空泵，离子注入装置安装在真空室上部，真空室内部设有样品台，样品台位于离子注入装置下方；所述的离子注入装置包括气体离子源和金属离子源，所述的磁控溅射装置为磁控溅射靶，磁控溅射靶、气体离子源和金属离子源分别连接电源，金属离子源和磁控溅射靶安装在气体离子源侧部，金属离子源与磁控溅射靶分别连接角度调节装置。
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