[实用新型]一种石墨单晶片的割炬式制备装置无效
| 申请号： | 200920200327.8 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN201553805U | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 冯静 | 申请（专利权）人： | 冯静 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310016 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型是关于一种石墨单晶片的割炬式制备装置，其特别之处在于：它由制备炉、风扇和割炬组成；风扇置于制备炉口，割炬喷火端置于制备炉内，割矩控制端置于制备炉外；制备炉下部设有多个进风口；制备炉壁上设置观察窗。用割炬的火焰将石墨加热到1000℃以上，待石墨分子间的范德华力完全消失后，用高压氧气喷击石墨，从而产生一些石墨单晶片；飘扬起来的石墨单晶片和尚未成为单晶片的石墨晶片，随热空气上升，流过制备炉的导流道，逸出制备炉口后，被设置在制备炉口的风扇吹向远处；由于物质的自重因素，石墨单晶片将被吹得最远，在石墨晶片下落的最远处，可以收集到石墨单晶片。本实用新型生产石墨单晶片的工效较高，产品质地纯净。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 晶片 割炬式 制备 装置 | ||
【主权项】：
一种石墨单晶片的割炬式制备装置，其特征在于它由制备炉、风扇和割炬组成；风扇置于制备炉口，割炬喷火端置于制备炉内，割矩控制端置于制备炉外；制备炉下部设有多个进风口；制备炉壁上设置观察窗。
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