[实用新型]一种硅太阳能电池无效
申请号: | 200920201188.0 | 申请日: | 2009-11-23 |
公开(公告)号: | CN201532955U | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 肖剑峰;费宏斌;黄志林;周体 | 申请(专利权)人: | 宁波太阳能电源有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315040 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅太阳能电池,包括硅基体,硅基体的正面沉积有氮化硅膜,氮化硅膜上设置有一组副栅线,硅基体的背面涂覆有铝浆料构成铝背场,铝背场上设置有主栅线,硅基体上设置有多个贯穿硅基体的导电通孔,导电通孔内填充有导电浆料,副栅线和主栅线分别连接于导电浆料的两端,主栅线的周边设置有用于隔离铝背场和主栅线的绝缘槽,优点在于通过将主栅线设置在硅基体的背面,再在硅基体上设置导电通孔,在导电通孔内填充导电浆料,每根副栅线通过导电浆料与主栅线相互导通,光照下电池产生的电流通过副栅线再经过导电浆料汇聚到主栅线上导出,这种结构的电池由于用于汇聚电流的主栅线设置于硅基体的背面,增加了电池正面的有效光照面。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种硅太阳能电池,包括硅基体,所述的硅基体的正面沉积有氮化硅膜,所述的氮化硅膜上设置有一组间距均匀的副栅线,所述的硅基体的背面涂覆有铝浆料构成铝背场,所述的铝背场构成电池的正电极,其特征在于所述的硅基体的背面设置有与所有所述的副栅线空间相垂直的主栅线,所述的硅基体上设置有多个贯穿所述的硅基体的导电通孔,所述的导电通孔内填充有导电浆料,每根所述的副栅线和所述的主栅线分别连接于所述的导电浆料的两端,所述的副栅线通过所述的导电浆料与所述的主栅线相互导通,所述的主栅线构成电池的负电极,所述的主栅线的周边设置有用于隔离所述的铝背场和所述的主栅线的绝缘槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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