[实用新型]一种激光器倍频晶体的加热装置有效
| 申请号： | 200920205403.4 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN201508995U | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 高云峰;吕启涛;何柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/02 | 分类号： | H01S3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型所采用的技术方案是：一种激光器倍频晶体的加热装置，包括：容置倍频晶体的倍频晶体座、及容置半导体致热片的半导体致热片安装座，所述半导体致热片安装座位于倍频晶体座的下方、并与倍频晶体座间隔一定距离，所述半导体致热片伸出半导体致热片安装座一定距离，且半导体致热片的上表面贴紧倍频晶体座的下表面，且所述半导体致热片位于倍频晶体的下方。本实用新型通过将半导体致热片致热端直接贴紧被加热的倍频晶体座底面，且整个半导体致热片陷入一定深度的安装座的槽内，达到通过倍频晶体座来对倍频晶体传热的，达到倍频晶体加热的效果，不会对激光器腔体内的其他光学器件产生污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 倍频 晶体 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种激光器倍频晶体的加热装置，其特征在于，包括：容置倍频晶体的倍频晶体座、及容置半导体致热片的半导体致热片安装座，所述半导体致热片安装座位于倍频晶体座的下方、并与倍频晶体座间隔一定距离，所述半导体致热片伸出半导体致热片安装座一定距离，且半导体致热片的上表面贴紧倍频晶体座的下表面，且所述半导体致热片位于倍频晶体的下方。
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