[实用新型]曝光底片的对位靶标图样有效
| 申请号： | 200920216230.6 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN201532522U | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张鸿明 | 申请（专利权）人： | 川宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 钱凯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种曝光底片的对位靶标图样，是令上、下曝光底片的对位靶标图样，一为环形靶标而另一为圆形靶标，且于该环形靶标至少形成有一贯通环内与环外的断环留白区，借以将该环形靶标的环内留白区与环外留白区连接。本实用新型令所有的光阻膜固化物都固着于基板上，具有不会形成脱离基板的光阻膜固化物的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 底片 对位 靶标 图样 | ||
【主权项】：
一种曝光底片的对位靶标图样，其特征在于，是令上、下曝光底片的对位靶标图样，一为环形靶标而另一为圆形靶标，且于该环形靶标至少形成有一贯通环内与环外的断环留白区，借以将该环形靶标的环内留白区与环外留白区连接。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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