[实用新型]一种肖特基二极管无效
| 申请号： | 200920222117.9 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN201556623U | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 徐谦刚;王林;蒲耀川;李昊;张志向;张晓情;崔振华;张玲玲;梁小龙;王丽华 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L23/60 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 周春雷 |
| 地址： | 741000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基二极管，在二极管衬底的正面自下而上依次设置有厚度为500～700底层金属层钛、厚度为6800～7200阻挡金属层钛钨合金、厚度为6800～7200粘附金属层钛和厚度为10000金属电极层银，本实用新型提供一种金属层与SiO2有较高粘附性和高防静电放电(ESD)性能的肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括衬底(5)，其特征在于：衬底的正面自下而上依次设置有底层金属层(4)、阻挡金属层(3)、粘附金属层(2)和金属电极层(1)。
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