[实用新型]一种能降低低频噪声的磁共振成像MRI系统前置放大器

摘要

一种能降低低频噪声的磁共振成像MRI系统前置放大器属于射频电子放大器领域，其特征在于，含有砷化镓增强型伪形态高电子迁移率晶体管T1、接入所述晶体管T1栅极的输入匹配网络，接入所述晶体管T1和地之间的反馈网络，与所述输入匹配网络相连的直流偏置网络，以及与电源Vcc相连的滤波网络，所述滤波网络输出端和所述直流偏置网络的输入端相连，同时再经分压后与所述输出匹配网络的输入端相连。本实用新型在10MHz-100MHz的频带内绝对稳定，能在任意中心频率实现小于0.45dB的噪声系数和大于25dB的信号增益，而且带宽只有5MHz，有利于抑制MRI系统中频带外噪声对图像质量的影响，而且只有一级放大电路，易于设计和调试。

主权项

一种能降低低频噪声的磁共振成像MRI系统前置放大器，其特征在于：含有一个型号为ATF-54143的砷化镓增强型伪形态高电子迁移率晶体管(T1)，一个输入匹配网络，一个反馈网络，一个直流偏置网络，一个滤波网络以及一个输出匹配网络，其中，输入匹配网络，实现对所述前置放大器的噪声匹配，含有：第一电容(C1)，第二电容(C2)，第三电容(C3)和第一电感(L1)，其中，第一电容(C1)，第二电容(C2)和第一电感(L1)各有一端共连后接所述砷化镓增强型伪形态高电子迁移率晶体管(T1)的栅极，第三电容(C3)的一端和所述第一电感(L1)的另一端相连，所述第二电容(C2)的另一端和第三电容(C3)的另一端共同接地，所述第一电容(C1)的另一端通过保护电路与输入端口(Input)连接，所述保护电路由第一二极管(D1)和第二二极管(D2)构成，所述第一二极管(D1)的正极和第二二极管(D2)的负极共同接地，所述第一二极管(D1)的负极和第二二极管(D2)的正极相连后共同与所述第一电容(C1)的另一端和输入端口(Input)相连，反馈网络，由第三电感(L3)构成，一端与所述砷化镓增强型伪形态高电子迁移率晶体管(T1)的源极相连，而所述第三电感(L3)的另一端接地，直流偏置网络，实现对所述砷化镓增强型伪形态高电子迁移率晶体管(T1)的静态工作点的控制，含有：第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)和第四电阻(R4)，所述第一电感(L1)的另一端依次串联所述第四电阻(R4)和第一电阻(R1)后接地，所述第四电阻(R4)和第一电阻(R1)的串接点又依次串联第二电阻(R2)和第三电阻(R3)，而所述第三电阻(R3)的一端为所述直流偏置网络的输入端，滤波网络，用于抑制直流电源(Vcc)引入所述磁共振成像MRI系统前置放大器的噪声，含有：第七电容(C7)，第八电容(C8)和第四电感(L4)，其中，所述第四电感(L4)的一端接所述直流电源(Vcc)，另一端通过并联的所述第七电容(C7)和第八电容(C8)接地，同时与所述第三电阻(R3)的所述直流偏置网络的输入端相连，输出匹配网络，实现对所述MRI系统前置放大器的输出阻抗匹配，含有：第四电容(C4)，第五电容(C5)，第六电容(C6)，第五电阻(R5)和第二电感(L2)，其中：所述第四电容(C4)一端为所述输出匹配网络的输出端，另一端和所述第五电容(C5)，第二电感(L2)和第五电阻(R5)各自的一端相连后接砷化镓增强型伪形态高电子迁移率晶体管(T1)的漏极，所述第六电容(C6)一端接地，另一端和所述第五电容(C5)，第二电感(L2)和第五电阻(R5)各自的另一端相连后接所述互相串联的第二电阻(R2)和第三电阻(R3)的串接处。