[实用新型]用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路无效

专利信息
申请号: 200920228741.X 申请日: 2009-10-10
公开(公告)号: CN201498988U 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 朱仲彦 申请(专利权)人: 朱仲彦
主分类号: H02H9/08 分类号: H02H9/08;H02H9/06;H02H7/06
代理公司: 武汉楚天专利事务所 42113 代理人: 雷速
地址: 430010 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路,其特征是:由三组ZnO非线性电阻(1、4、7)分别与三组SiC与ZnO非线性电阻(2、3)、(5、6)、(8、9)相并联后的电路相串联,组成星形连接,其连接节点为中性点,在中性点(12)与地(13)之间并接SiC与ZnO非线性电阻(10、11)的并联组件。采用本实用新型做成的消弧、消谐及过电压保护接地装置,可替代用有色金属绕制的电感型消弧线圈,不仅成本低、体积小、重量轻、而且对消除铁磁谐振及抑制浪涌电流具有良好的阻尼及消弧作用,可将非直接接地系统电网的相对地及相与相的之间的过电压,有效限制在较低的电压水平。
搜索关键词: 用于 过电压 保护 zno sic 复合 电路
【主权项】:
一种用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路,其特征是:由三组ZnO非线性电阻(1、4、7)分别与三组SiC与ZnO非线性电阻(2、3)、(5、6)、(8、9)相并联后的电路相串联,组成星形连接,其连接节点为中性点,在中性点(12)与地(13)之间并接SiC与ZnO非线性电阻(10、11)的并联组件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱仲彦,未经朱仲彦许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200920228741.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top