[实用新型]用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路无效
申请号: | 200920228741.X | 申请日: | 2009-10-10 |
公开(公告)号: | CN201498988U | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 朱仲彦 | 申请(专利权)人: | 朱仲彦 |
主分类号: | H02H9/08 | 分类号: | H02H9/08;H02H9/06;H02H7/06 |
代理公司: | 武汉楚天专利事务所 42113 | 代理人: | 雷速 |
地址: | 430010 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路,其特征是:由三组ZnO非线性电阻(1、4、7)分别与三组SiC与ZnO非线性电阻(2、3)、(5、6)、(8、9)相并联后的电路相串联,组成星形连接,其连接节点为中性点,在中性点(12)与地(13)之间并接SiC与ZnO非线性电阻(10、11)的并联组件。采用本实用新型做成的消弧、消谐及过电压保护接地装置,可替代用有色金属绕制的电感型消弧线圈,不仅成本低、体积小、重量轻、而且对消除铁磁谐振及抑制浪涌电流具有良好的阻尼及消弧作用,可将非直接接地系统电网的相对地及相与相的之间的过电压,有效限制在较低的电压水平。 | ||
搜索关键词: | 用于 过电压 保护 zno sic 复合 电路 | ||
【主权项】:
一种用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路,其特征是:由三组ZnO非线性电阻(1、4、7)分别与三组SiC与ZnO非线性电阻(2、3)、(5、6)、(8、9)相并联后的电路相串联,组成星形连接,其连接节点为中性点,在中性点(12)与地(13)之间并接SiC与ZnO非线性电阻(10、11)的并联组件。
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