[实用新型]低插入损耗、高选择特性定向滤波器无效
申请号: | 200920235805.9 | 申请日: | 2009-09-23 |
公开(公告)号: | CN201498577U | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 洪伟;程钰间 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01P1/213 | 分类号: | H01P1/213;H01P5/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 低插入损耗、高选择特性定向滤波器涉及一种可应用于微波毫米波单片电路、微波毫米波集成电路设计的多工滤波器,它在微波毫米波无线通信、卫星通信、电子对抗、测试仪表等系统中有着广泛的应用。该滤波器上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)分别位于介质基片(3)的正反两侧,金属化通孔(4)穿过介质基片(3)与上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)相连接形成第一基片集成波导定向耦合器(51)、第二基片集成波导定向耦合器(52)、第三基片集成波导定向耦合器(53)、第一基片集成波导回路(61)、第二基片集成波导回路(62);使其能直接与射频电路相集成,具有低插入损耗、高选择特性、低加工成本、易于大批量生产等特点。 | ||
搜索关键词: | 插入损耗 选择 特性 定向 滤波器 | ||
【主权项】:
一种低插入损耗、高选择特性定向滤波器,其特征在于上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)分别位于介质基片(3)的正反两侧,金属化通孔(4)穿过介质基片(3)与上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)相连接形成第一基片集成波导定向耦合器(51)、第二基片集成波导定向耦合器(52)、第三基片集成波导定向耦合器(53)、第一基片集成波导回路(61)、第二基片集成波导回路(62);其中,第一基片集成波导回路(61)、第二基片集成波导回路(62)分别为由金属化通孔(4)围成的长方形,在第一基片集成波导回路(61)、第二基片集成波导回路(62)的中间和外侧分别设有两排金属化通孔(4),第一基片集成波导定向耦合器(51)位于第一基片集成波导回路(61)外与第一基片集成波导回路(61)内的两排金属化通孔之间;第二基片集成波导定向耦合器(52)位于第一基片集成波导回路(61)内与第二基片集成波导回路(62)内的两排金属化通孔之间;第三基片集成波导定向耦合器(53)位于第二基片集成波导回路(62)内与第二基片集成波导回路(62)外的两排金属化通孔之间;基片集成波导定向耦合器(51)的第一个输入口接基片集成波导定向滤波器第一输入端口(71)、基片集成波导定向耦合器(51)的第一个输出口接基片集成波导定向滤波器的第一输出端口(72),基片集成波导定向耦合器(53)的第一个输入口接基片集成波导定向滤波器第二输入端口(73),基片集成波导定向耦合器(53)的第二个输出口接基片集成波导定向滤波器的第二输出端口(74)。
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