[实用新型]一种白光发光二极管芯片有效
| 申请号： | 200920240133.0 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN201532968U | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 潘群峰;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种白光发光二极管芯片，包含一透明衬底，其上表面依次堆叠有缓冲层、n-GaN层、有源层、p-GaN层、透明导电层，n电极连接于暴露的n-GaN层之上，p电极连接在透明导电层上；在透明衬底的下表面粘合有第一荧光胶层，反射镜粘合在第一荧光胶层的下表面；在p电极之外的透明导电层上粘合有第二荧光胶层。在透明衬底和反射镜之间粘合一荧光胶层，通过该内置荧光胶层的引入，将有源层向下发射的短波长光(如蓝、紫或紫外光)大部分地转化成波长较长的可见光，一方面可以减少这部分光经反射镜向芯片出光表面反射过程中被有源层吸收的概率，另一方面可以增加蓝光转化为长波长可见光的比例，从而提高本实用新型的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白光 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种白光发光二极管芯片，包含一透明衬底，其上表面依次堆叠有缓冲层、n-GaN层、有源层、p-GaN层、透明导电层，n电极连接于暴露的n-GaN层之上，p电极连接在透明导电层上；其特征在于：在透明衬底的下表面粘合有第一荧光胶层，反射镜粘合在第一荧光胶层的下表面；在p电极之外的透明导电层上粘合有第二荧光胶层。
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