[实用新型]一种生长硅单晶的节能热场结构有效
申请号: | 200920245199.9 | 申请日: | 2009-11-11 |
公开(公告)号: | CN201605349U | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 李定武;梁永生 | 申请(专利权)人: | 西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种生长硅单晶的节能热场结构,在炉膛内腔,由上到下依次设置有上保温盖、下保温盖、上保温筒、过渡盘、主保温筒、下保温筒、炉底盘及保温层,上保温盖中连接有热屏,在下保温盖、上保温筒的外侧设置有一保温层,该保温层与上保温筒对应开有通气孔;过渡盘、主保温筒、下保温筒的外侧设置有保温层,上述保温层与炉膛内壁之间保持有间隙,炉膛上设置有氩气排气口;在炉底盘上依次设置有一层保温层和护底压片,穿过保温层、炉底盘、护底压片设置有石墨电极和石墨托杆,石墨电极上安装有加热器,在石墨托杆上依次安装有隔热体、石墨埚托、石墨埚帮及石英坩埚。本实用新型的热场结构合理,热能利用率显著提高,生产成本降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 生长 硅单晶 节能 结构 | ||
【主权项】:
一种生长硅单晶的节能热场结构,其特征在于:在炉膛(29)内腔,由上到下依次设置有上保温盖(1)、下保温盖(27)、上保温筒(25)、过渡盘(23)、主保温筒(21)、下保温筒(17)、炉底盘(16)及保温层D(11),上保温盖(1)的外圆周与炉膛(29)内壁密封连接,上保温盖(1)中连接有热屏(14),上保温盖(1)的下方连接有下保温盖(27),在下保温盖(27)与上保温筒(25)的外侧设置有保温层A(24),保温层A(24)与上保温筒(25)开有联通的通气孔(26);过渡盘(23)和主保温筒(21)的外侧设置有保温层B(22);下保温筒(17)的外侧设置有保温层C(18),保温层A(24)、保温层B(22)、保温层C(18)与炉膛(29)内壁之间保持一定的间隙,炉膛(29)靠近下部的侧壁上设置有氩气排气口(30),通气孔(26)用于将氩气从热屏(14)下沿处引出到氩气排气口(30);在炉底盘(16)的上表面依次设置有保温层E(12)和护底压片(13),穿过保温层D(11)、炉底盘(16)、保温层E(12)和护底压片(13)设置有石墨电极(15)和石墨托杆(19),石墨电极(15)上安装有加热器(8),在石墨托杆(19)上从下到上依次安装有隔热体(20)、石墨埚托(7)、石墨埚帮(6)及石英坩埚(5)。
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