[实用新型]一种生长硅单晶的节能热场结构有效

专利信息
申请号: 200920245199.9 申请日: 2009-11-11
公开(公告)号: CN201605349U 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 李定武;梁永生 申请(专利权)人: 西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种生长硅单晶的节能热场结构,在炉膛内腔,由上到下依次设置有上保温盖、下保温盖、上保温筒、过渡盘、主保温筒、下保温筒、炉底盘及保温层,上保温盖中连接有热屏,在下保温盖、上保温筒的外侧设置有一保温层,该保温层与上保温筒对应开有通气孔;过渡盘、主保温筒、下保温筒的外侧设置有保温层,上述保温层与炉膛内壁之间保持有间隙,炉膛上设置有氩气排气口;在炉底盘上依次设置有一层保温层和护底压片,穿过保温层、炉底盘、护底压片设置有石墨电极和石墨托杆,石墨电极上安装有加热器,在石墨托杆上依次安装有隔热体、石墨埚托、石墨埚帮及石英坩埚。本实用新型的热场结构合理,热能利用率显著提高,生产成本降低。
搜索关键词: 一种 生长 硅单晶 节能 结构
【主权项】:
一种生长硅单晶的节能热场结构,其特征在于:在炉膛(29)内腔,由上到下依次设置有上保温盖(1)、下保温盖(27)、上保温筒(25)、过渡盘(23)、主保温筒(21)、下保温筒(17)、炉底盘(16)及保温层D(11),上保温盖(1)的外圆周与炉膛(29)内壁密封连接,上保温盖(1)中连接有热屏(14),上保温盖(1)的下方连接有下保温盖(27),在下保温盖(27)与上保温筒(25)的外侧设置有保温层A(24),保温层A(24)与上保温筒(25)开有联通的通气孔(26);过渡盘(23)和主保温筒(21)的外侧设置有保温层B(22);下保温筒(17)的外侧设置有保温层C(18),保温层A(24)、保温层B(22)、保温层C(18)与炉膛(29)内壁之间保持一定的间隙,炉膛(29)靠近下部的侧壁上设置有氩气排气口(30),通气孔(26)用于将氩气从热屏(14)下沿处引出到氩气排气口(30);在炉底盘(16)的上表面依次设置有保温层E(12)和护底压片(13),穿过保温层D(11)、炉底盘(16)、保温层E(12)和护底压片(13)设置有石墨电极(15)和石墨托杆(19),石墨电极(15)上安装有加热器(8),在石墨托杆(19)上从下到上依次安装有隔热体(20)、石墨埚托(7)、石墨埚帮(6)及石英坩埚(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司,未经西安隆基硅材料股份有限公司;西安隆基硅技术有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200920245199.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code