[实用新型]双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构有效
| 申请号： | 200920245474.7 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN201655807U | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王正鸣;高建峰;高山城;刘惠玲;刘东 | 申请（专利权）人： | 西安电力电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/36;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 彭冬英 |
| 地址： | 710061 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构，较高浓度P型掺杂层在低浓度P-型掺杂层上形成的高低结为非平行平面结，其结面产生弯曲变化避免较高浓度P型杂质进入双负角造型结终端区，本实用新型具有双面减薄P-区的作用，使特高压双向阻断硅晶闸管同时具有正反向阻断电压对称，长、短基区及阳极面P-区无附加厚度，电压片厚比最高的特点。适用于制造电压片厚比最高的双向阻断晶闸管。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 阻断 晶闸管 反向 对称 径向 掺杂 结构 | ||
【主权项】：
1.一种双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构，包括N-型衬底(1)、正向阻断结(2)、反向阻断结(3)，正、反向阻断结(2、3)两边分别设有低浓度P-型掺杂层(4、5)和较高浓度P型掺杂层(6、7)，晶闸管沿径向分为金属欧姆接触层(8)以内的一般晶闸管体内区(9)及其以外的结终端区(10)，其特征在于：低浓度P-型掺杂层(4、5)在N-型衬底(1)上形成的正、反向阻断结(2、3)为平行平面结，较高浓度P型掺杂层(6、7)浓度分布沿径向产生变化，在低浓度P-型掺杂层(4、5)上形成的高低结(11)为非平行平面结，其结面产生弯曲变化避免较高浓度P型杂质进入结终端区(10)，结终端区(10)只有低浓度杂质。
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