[实用新型]一种对靶磁控溅射装置有效
| 申请号： | 200920259998.1 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN201620189U | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 汪友林 | 申请（专利权）人： | 深圳森丰真空镀膜有限公司;森科五金(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518101 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种对靶磁控溅射装置，应用于高速、均匀沉积薄膜的磁控溅射。它包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有磁控靶和工件架，磁控靶呈对靶设置，且每组对靶中间置有一工件架，工件架旋转过程中始终被控制在一组对靶中间。每组对靶磁场极性布置方向相反，形成闭合场；同时每个单独的磁控靶磁场布局方式都为非平衡磁场。本实用新型能够保证工件始终浸没在较高密度等离子体中，以提高溅射速度，减少镀膜时间从而提高生产效率，同时还能大幅度提高镀膜质量及靶材利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种对靶磁控溅射装置，包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有磁控靶和工件架，其特征在于，磁控靶呈对靶设置，且每组对靶中间置有一工件架，工件架旋转过程中始终被控制在一组对靶中间。
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