[实用新型]碲化镉薄膜太阳电池气体输运沉积生长系统无效
申请号: | 200920268626.5 | 申请日: | 2009-10-29 |
公开(公告)号: | CN201530862U | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 王步峰;李青海;王景义 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/46;H01L31/18 |
代理公司: | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 277600 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种碲化镉薄膜太阳电池气体输运沉积生长系统。它具有可以快速、大面积、低真空条件下生长半导体薄膜等优点,其结构为:它包括带有抽真空装置的真空制模室,所述真空制模室内设有传动装置,在传动装置上设有加热装置,工件置于传动装置上,工件与送料装置连接,工件在真空制模室内往复运动,速度可调;在真空制模室内还设有至少一个沉积源,沉积源与工件相配合;同时沉积源还与气体管路连接。 | ||
搜索关键词: | 碲化镉 薄膜 太阳电池 气体 输运 沉积 生长 系统 | ||
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳电池气体输运沉积生长系统,它包括带有抽真空装置的真空制模室,其特征是,所述真空制模室内设有传动装置,在传动装置上设有加热装置,工件置于传动装置上,工件与送料装置连接,工件在真空制模室内往复运动,速度可调;在真空制模室内还设有至少一个沉积源,沉积源与工件相配合;同时沉积源还与气体管路连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的