[实用新型]碲化镉薄膜太阳电池气体输运沉积生长系统无效

专利信息
申请号: 200920268626.5 申请日: 2009-10-29
公开(公告)号: CN201530862U 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 王步峰;李青海;王景义 申请(专利权)人: 润峰电力有限公司
主分类号: C23C16/30 分类号: C23C16/30;C23C16/46;H01L31/18
代理公司: 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 代理人: 张勇
地址: 277600 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型公开了一种碲化镉薄膜太阳电池气体输运沉积生长系统。它具有可以快速、大面积、低真空条件下生长半导体薄膜等优点,其结构为:它包括带有抽真空装置的真空制模室,所述真空制模室内设有传动装置,在传动装置上设有加热装置,工件置于传动装置上,工件与送料装置连接,工件在真空制模室内往复运动,速度可调;在真空制模室内还设有至少一个沉积源,沉积源与工件相配合;同时沉积源还与气体管路连接。
搜索关键词: 碲化镉 薄膜 太阳电池 气体 输运 沉积 生长 系统
【主权项】:
一种碲化镉薄膜太阳电池气体输运沉积生长系统,它包括带有抽真空装置的真空制模室,其特征是,所述真空制模室内设有传动装置,在传动装置上设有加热装置,工件置于传动装置上,工件与送料装置连接,工件在真空制模室内往复运动,速度可调;在真空制模室内还设有至少一个沉积源,沉积源与工件相配合;同时沉积源还与气体管路连接。
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