[实用新型]一种低拉应力薄膜有效
| 申请号： | 200920282741.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN201634415U | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈思奇;王荣华;朱琳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种薄膜，尤其是一种低拉应力薄膜。按照本实用新型提供的技术方案，所述低拉应力薄膜，包括衬底硅；所述衬底硅上淀积有PSG膜质层，所述PSG膜质层位于衬底硅的一端；所述PSG膜质层上淀积有多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜上淀积有SiN层。本实用新型制作工艺简单，可以再IC半导体生产线上大批量生产，通过多晶硅薄膜与SiN层的复合结构，有效保证薄膜的拉应力，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 薄膜 | ||
【主权项】：
一种低拉应力薄膜，包括衬底硅(4)，其特征是：所述衬底硅(4)上淀积有PSG膜质层(3)，所述PSG膜质层(3)位于衬底硅(4)的一端；所述PSG膜质层(3)上淀积有多晶硅薄膜(2)，所述多晶硅薄膜(2)上淀积有SiN层(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920282741.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磷酸二氢锂的制备装置
- 下一篇：用于漏斗的夹具
