[实用新型]大功率IGBT并联驱动电路的拓扑结构无效
申请号: | 200920300633.9 | 申请日: | 2009-02-16 |
公开(公告)号: | CN201365207Y | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 蒲延洲;徐成 | 申请(专利权)人: | 常州瑞闪新能源有限公司 |
主分类号: | H02M7/44 | 分类号: | H02M7/44;H02M7/537 |
代理公司: | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蒋全强 |
地址: | 213000江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种大功率IGBT并联驱动电路的拓扑结构,其包括:多个IGBT模块,各IGBT模块内具有两个IGBT单元,第一IGBT单元的发射极与第二IGBT单元的集电极相连并构成接点,各IGBT模块上的所述接点通过第一铜排相连并构成A相端,各IGBT模块内的第一IGBT单元的集电极通过第二铜排相连并构成正极端,各IGBT模块内的第二IGBT单元的发射极构成负极端;各IGBT模块中的IGBT单元的栅极、所述A相端、正极端和负极端与驱动电路相连,该驱动电路通过数据总线与CPU单元相连。CPU与驱动电路的信号传输主要通过数据总线分别传输各驱动电路中,另外各驱动电路的故障反馈信息又通过数据总线反馈到CPU单元中。故而提高了IGBT的驱动与保护水平,确保了功率单元的可靠性与稳定性。 | ||
搜索关键词: | 大功率 igbt 并联 驱动 电路 拓扑 结构 | ||
【主权项】:
1、一种大功率IGBT并联驱动电路的拓扑结构,其特征在于包括:多个IGBT模块,各IGBT模块内具有第一IGBT单元和第二IGBT单元,第一IGBT单元的发射极与第二IGBT单元的集电极相连并构成接点,各IGBT模块上的所述接点通过第一铜排(a)相连并构成A相端,各IGBT模块内的第一IGBT单元的集电极通过第二铜排(b)相连并构成正极端,各IGBT模块内的第二IGBT单元的发射极构成负极端;各IGBT模块中的IGBT单元的栅极、所述A相端、正极端和负极端与驱动电路相连,该驱动电路通过数据总线与CPU单元相连。
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