[实用新型]阻焊图形曝光胶片无效
申请号: | 200920307436.X | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN201527539U | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 白立江 | 申请(专利权)人: | 天津普林电路股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;H05K3/00 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 王来佳 |
地址: | 300308 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种阻焊图形曝光胶片,由制有曝光区的胶片组成,其中胶片的边缘处制有定位通孔,所述的定位通孔位于胶片的四角。本实用新型结构简单,曝光时使用黑片,只需要一名操作人员即可以完成曝光加工,而且胶片与电路板对位准确,是一种节省材料和人力资源,便于操作的阻焊图形曝光胶片。 | ||
搜索关键词: | 图形 曝光 胶片 | ||
【主权项】:
一种阻焊图形曝光胶片,由制有曝光区的胶片组成,其特征在于:胶片的边缘处制有定位通孔。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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