[实用新型]SE电池的掩膜设备有效
申请号: | 200920314228.2 | 申请日: | 2009-11-06 |
公开(公告)号: | CN201576695U | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 李科伟;石劲超 | 申请(专利权)人: | 浙江百力达太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 314513*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型所公开的SE电池的掩膜设备,它包括沉淀室,沉淀室内设有石墨载板,石墨载板上规则地分布有硅片承载框,所述的承载框内凸出地设有与电池电极形状一致的掩模。本实用新型所得到的SE电池的掩膜设备,当生产运行沉积工艺后,由于掩模与电池电极图形一致,掩模的阻挡作用可使电池表面待印电极栅线的地方不淀积上薄膜,而在其它区域形成一层阻挡薄膜,为后续扩散工艺形成选择性的扩散创造了条件,使得后续的轻重掺杂可一次性完成,节省了工艺的同时又可实现在电机栅线及其附近形成深结区,其余区域为浅结区的技术工艺要求。 | ||
搜索关键词: | se 电池 设备 | ||
【主权项】:
一种SE电池的掩膜设备,它包括沉淀室(1),沉淀室(1)内设有石墨载板(2),石墨载板(2)上规则地分布有硅片承载框(3),其特征是所述的承载框内凸出地设有与电池电极形状一致的掩模(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的