[发明专利]载置台构造以及处理装置无效
申请号: | 200980100058.0 | 申请日: | 2009-03-06 |
公开(公告)号: | CN101772837A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 田中澄;小松智仁;川崎裕雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供载置台构造以及处理装置,能防止对载置台产生大的热应力,防止该载置台自身破损,并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内,用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备:载置被处理体(W),由电介质构成的载置台(58);设于载置台(58),加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64);由电介质构成的多个保护支柱管(60),它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置,上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外,在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。 | ||
搜索关键词: | 载置台 构造 以及 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种载置台构造,其设置在能够排出内部气体的处理容器内,用于载置被处理体,其特征在于,具备:载置台,其载置上述被处理体,且由电介质构成;加热单元,其设于上述载置台,对载置于上述载置台的上述被处理体进行加热;由电介质构成的多个保护支柱管,它们以相对于上述处理容器的底部竖立的方式设置,上端部与上述载置台的下表面接合来支承上述载置台;功能棒体,其插在上述各保护支柱管内并延伸到上述载置台。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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