[发明专利]非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置有效
申请号: | 200980100360.6 | 申请日: | 2009-07-01 |
公开(公告)号: | CN101978496A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 三谷觉;神泽好彦;片山幸治;高木刚 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括:第一电极(103);第二电极(108);和介于第一电极(103)与第二电极(107)之间,电阻值根据施加于两电极(103)、(108)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(107),该电阻变化层(107)至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造,该第一含铪层具有以HfOx(其中,0.9≤x≤1.6)表示的组成,该第二含铪层具有以HfOy(其中,1.8<y<2.0)表示的组成。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 元件 制造 方法 以及 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储元件,其包括:第一电极;第二电极;和介于所述第一电极与所述第二电极之间,电阻值根据施加于两电极间的电信号可逆地变化的电阻变化层,根据施加于所述第一电极与所述第二电极间的极性不同的电信号,所述第一电极与所述第二电极间的电阻值可逆地变化,其中,所述电阻变化层具有叠层有导电性的第二氧不足型的铪氧化物层和导电性的第一氧不足型的铪氧化物层的叠层构造,该第二氧不足型的铪氧化物层具有以HfOx表示的组成,该第一氧不足型的铪氧化物层具有以HfOy表示的组成,其中,0.9≤x≤1.6,1.8<y<2.0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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