[发明专利]载置台构造以及热处理装置无效
申请号: | 200980100768.3 | 申请日: | 2009-03-13 |
公开(公告)号: | CN101903980A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 鸟屋大辅;山本弘彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/46;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供载置台构造以及热处理装置,能防止在载置台的中心部产生冷却点,防止该载置台本身破损,并且能够提高对被处理体的热处理的面内均匀性。设置在热处理装置的处理容器(22)内,用于载置作为应进行热处理的被处理体的半导体晶片(W)的载置台构造,具备:用于载置上述被处理体的载置台(52);和与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台的筒体状的支柱(54)。在上述支柱内的上部设有接近上述载置台的下表面设置的热反射部(56)。利用热反射部(56)阻止在载置台(54)的中心部产生冷却点。 | ||
搜索关键词: | 载置台 构造 以及 热处理 装置 | ||
【主权项】:
一种载置台构造,其设置在热处理装置的处理容器内,用于载置应进行热处理的被处理体,其特征在于,具备:载置台,其载置上述被处理体;筒体状的支柱,其与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台;热反射部,其接近上述载置台的下表面地设置在上述支柱内的上部。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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