[发明专利]氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法无效
| 申请号： | 200980101123.1 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101874309A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 上野昌纪;盐谷阳平;京野孝史;秋田胜史;善积祐介;住友隆道;中村孝夫 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物类半导体光元件(LE1)中，内含应变的阱层(21)沿着相对于与c轴方向上延伸的基准轴正交的面以倾斜角(α)倾斜的基准平面(SR1)延伸。倾斜角(α)在大于59度且小于80度的范围及大于150度且小于180度的范围。与具有负压电电场的发光层(SP-)相邻地具有带隙大于势垒层的带隙的氮化镓类半导体层(P)。阱层(W3)中的压电电场的方向为自n层向p层的方向，氮化镓类半导体层(P)中的压电电场的方向为自p层向n层的方向。因此，在发光层(SP-)与氮化镓类半导体层(P)的界面上，不是在导带而是在价带上形成有倾角。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 元件 用于 外延 晶片 制造 发光 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物类半导体光元件，其特征在于，包括：第1氮化镓类半导体区域；发光层，包含由内含应变的六方晶系氮化镓类半导体构成的阱层和由氮化镓类半导体构成的势垒层；以及第2氮化镓类半导体区域，上述发光层被设置于上述第1氮化镓类半导体区域与上述第2氮化镓类半导体区域之间，上述第1氮化镓类半导体区域包含一个或多个n型氮化镓类半导体层，上述第2氮化镓类半导体区域包含带隙比上述势垒层的带隙大的氮化镓类半导体层和一个或多个p型氮化镓类半导体层，上述阱层及上述势垒层分别沿着下述基准平面延伸：该基准平面从与c轴方向上所延伸的基准轴正交的面以59度以上且小于80度的范围及大于150度且小于180度的范围的倾斜角倾斜，上述发光层中的压电电场具有与从上述第2氮化镓类半导体区域朝向上述第1氮化镓类半导体区域的方向相反方向的分量，上述第2氮化镓类半导体区域的上述氮化镓类半导体层与上述发光层相邻，上述第2氮化镓类半导体区域的上述氮化镓类半导体层是电子阻挡层及包层中的任一方。
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