[发明专利]在腔室中处理基片的方法及系统无效
申请号: | 200980101397.0 | 申请日: | 2009-01-04 |
公开(公告)号: | CN101960562A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 范振华 | 申请(专利权)人: | 东莞宏威数码机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;B05C11/00;C23C16/00 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;郝传鑫 |
地址: | 523081 中国广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种基片处理系统,包括工艺腔室(900)、具有夹持多个工件(901)的夹具(902)的平台、多个加热器(906)和多个沉积装置(904)。该工艺腔室(900)包括用于接收至少一种化学物质的开口(910)和用于释放残余物的出口(903)。所述出口(903)与工艺泵(943)相连。该夹具(902)用于持有工件(901)。每个加热器(906)设于两个工件(901)之间。每个沉积装置(904)设于两个工件(901)之间。每个工件(901)设于加热器(906)和沉积装置(904)之间。每个沉积装置(904)包括至少两个设有孔的喷射板(908),化学物质可通过所述两个喷射板(908)喷射到工件(901)上。 | ||
搜索关键词: | 腔室中 处理 方法 系统 | ||
【主权项】:
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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