[发明专利]在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法有效
| 申请号： | 200980101910.6 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101911203A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨赛森;钟成;朴东奎;穆罕默德·H·阿布-拉赫马 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法。在实施例中，存储器装置(100)包括字线逻辑电路(110)，所述字线逻辑电路(110)耦合到多个字线(108)且适合于选择性地向耦合到选定存储器单元的选定字线施加正电压(V)且向非选定字线施加负电压(NV)，所述选定存储器单元包括磁性隧道结(MTJ)装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 读取 操作 期间 选择性 施加 电压 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种从包括磁性隧道结(MTJ)装置的存储器阵列读取数据的方法，所述方法包含：将读取信号施加至耦合到包括多个存储器单元的存储器阵列的位线，所述多个存储器单元中的每一者包含磁性隧道结(MTJ)装置；将正电压施加至耦合到所述存储器阵列的选定存储器单元的选定字线；以及将负电压施加至耦合到所述存储器阵列的非选定字线。
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