[发明专利]用于制造高密度ITO溅射靶的方法无效
| 申请号： | 200980102084.7 | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101910087A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | C·E·金;D·俾路支 | 申请（专利权）人： | BIZESP有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/64;B28B1/26;B28B7/38;C01G19/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 描述了一种制造氧化铟锡(ITO)溅射靶的方法，该方法包括沉淀氢氧化铟和氢氧化锡，在氯离子存在下烧结，使用所得到的氧化物粉末以制备具有分散剂、粘结剂、特别高密度的促进剂的含水粉浆，以及使用粉浆浇注的方法在特定的表面涂布的多孔铸模中压实该粉浆，随后烧结所得到的压实靶体，以产生高密度的ITO靶。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 高密度 ito 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种形成用于在制造氧化铟锡溅射靶中使用的氧化铟锡粉浆的方法，该方法包括：形成颗粒状氧化铟锡粉末与水的粉浆；其中，该粉浆含有浓度为0.001 1重量％的磷化合物。
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