[发明专利]存储器单元和存储器器件

摘要

根据本发明的一种存储器单元包括磁元件，该磁元件包括第一铁磁层和第二铁磁层(11，12)，该第一铁磁层和第二铁磁层的磁化的相对定向定义数据位，第一铁磁层和第二铁磁层由优选为电绝缘间隔物层(13)的非铁磁分离。如磁RAM领域中已知，可以通过优选地垂直于层平面测量跨磁元件的电阻来读出数据位。除了磁元件之外，存储器单元还包括磁化方向被良好定义的又一第三磁化层(15)和电阻切换材料(14)，可以通过借助施加的电压信号使离子浓度更改来更改该电阻切换材料的载流子密度。这样，载流子密度可以在第一状态与第二状态之间切换，以在第二铁磁层与第三铁磁层的磁化之间的总磁耦合改变方向(即，总磁耦合有利于第二铁磁层和第三铁磁层的磁化方向的不同相对定向)这样的方式影响第二铁磁层与第三铁磁层之间的有效交换耦合。

主权项

一种非易失性存储器单元，包括第一铁磁层(11)和第二铁磁层(12)，所述第一铁磁层和第二铁磁层(11，12)由非磁性间隔物层(13)分离，所述第一铁磁层具有已定义的磁化方向，并且所述第一铁磁层和第二铁磁层的磁化方向的相对定向定义所存储信息的值，其特征在于具有已定义的磁化方向的第三铁磁层(15)以及所述第二铁磁层与所述第三铁磁层之间的电阻切换材料(14)，其中所述电阻切换材料的电荷载流子密度通过施加的电压信号而在不同载流子密度状态之间可逆地可切换，不同载流子密度状态引起所述第二铁磁层与所述第三铁磁层之间不同的有效磁交换耦合，并且由此引起所述第二铁磁层的不同磁化方向。