[发明专利]在复合结构上制造外延生长层的方法有效
| 申请号： | 200980102590.6 | 申请日： | 2009-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101925995A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | B·福雷;A·马尔科韦基奥 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过外延生长制造材料的方法，其包括在复合结构(14)上外延生长至少一层材料(15)的步骤。所述复合结构包含至少一层结合在载体衬底(10)上的薄膜(4)，在载体衬底(10)和薄膜(4)之间沉积形成结合层(25)，薄膜(4)和载体衬底(10)的平均热膨胀系数为7×10-6K-1或更高。通过在载体衬底(10)的结合面和/或薄膜(4)的结合面上低压化学气相沉积(LPCVD)硅氧化物层而形成所述氧化物结合层(25)。薄膜(4)的厚度小于或等于氧化物层的厚度。所述方法还包括在高于沉积硅氧化物层的温度下进行预定时间的热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 结构 制造 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种通过外延生长制造材料的方法，所述方法包括在复合结构(14)上外延生长至少一层材料的步骤，所述复合结构包含至少一层结合在载体衬底(10)上的薄膜(4)，在载体衬底(10)和薄膜(4)之间沉积形成结合层(25)，所述薄膜和载体衬底的平均热膨胀系数为7×10 6K 1或更高，其特征在于，所述氧化物结合层(25)是通过在载体衬底(10)的结合面和/或薄膜(4)的结合面上低压化学气相沉积(LPCVD)硅氧化物层而形成的，所述薄膜的厚度小于或等于所述氧化物层的厚度，以及所述方法包括在高于沉积硅氧化物层的温度下进行预定时间的热处理。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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