[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980102800.1 | 申请日： | 2009-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101933148A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 齐藤裕一;守口正生;河野昭彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体元件101具备：基板1；活性层4，形成于基板1上，具有沟道区域4c和分别位于沟道区域4c两侧的第1区域4a和第2区域4b；第1接触层6a和第2接触层6b，分别与活性层4的第1区域4a及第2区域4b相接；第1电极7，通过第1接触层6a而与第1区域4a电连接；第2电极8，通过第2接触层6b而与第2区域4b电连接；以及栅极电极2，其各种栅极绝缘层3与活性层4相对设置，控制沟道区域4c的导电性。活性层4含有硅，在活性层4与第1接触层和第2接触层6a、6b之间还具备含氧的硅层5，含氧的硅层5以比活性层4和第1接触层及第2接触层6a、6b高的浓度含有氧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，具备：基板；活性层，其形成于上述基板，具有沟道区域和分别位于上述沟道区域两侧的第1区域和第2区域；第1接触层和第2接触层，其分别与上述活性层的第1区域和第2区域相接；第1电极，其通过上述第1接触层与上述第1区域电连接；第2电极，其通过上述第2接触层与上述第2区域电连接；以及栅极电极，其隔着栅极绝缘层与上述活性层相对设置，控制上述沟道区域的导电性，上述活性层含有硅，在上述活性层与上述第1接触层和第2接触层之间还具备含氧的硅层，上述含氧的硅层以比上述活性层和上述第1接触层及第2接触层高的浓度含有氧。
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