[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，包含下述步骤：准备在上方至少一部分形成至少一个柱状半导体层的衬底；于包含至少一个柱状半导体层表面的至少一部分的衬底上方的至少一部分形成第一绝缘膜；于第一绝缘膜上形成导电膜；非等向性地去除第一绝缘膜及导电膜，而将柱状半导体层侧面的导电膜及第一绝缘膜形成期望长度，以形成栅极电极；于表面至少一部分形成保护膜；非等向性地去除保护膜，而于形成期望长度的柱状半导体层侧面的导电膜及第一绝缘膜上部形成期望厚度的保护膜侧壁；以及一边通过保护膜侧壁保护形成期望长度的柱状半导体层侧面的导电膜及第一绝缘膜，一边选择性地去除导电膜及第一绝缘膜，以形成栅极电极及从栅极电极延伸至衬底侧的栅极配线。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含有：准备在上方至少一部分形成有至少一个柱状半导体层的衬底的步骤；于包含有所述至少一个柱状半导体层表面的至少一部分的所述衬底上方的至少一部分形成第一绝缘膜的步骤；于所述第一绝缘膜上形成导电膜的步骤；非等向性地去除所述第一绝缘膜及所述导电膜，而将所述柱状半导体层侧面的所述导电膜及第一绝缘膜形成为期望长度，以形成栅极电极的步骤；其后，于表面的至少一部分形成保护膜的步骤；非等向性地去除所述保护膜，而于形成为所述期望长度的柱状半导体层侧面的导电膜及第一绝缘膜的上部形成期望厚度的保护膜侧壁的步骤；以及一边通过所述保护膜侧壁来保护形成为所述期望长度的柱状半导体层侧面的导电膜及第一绝缘膜，一边选择性地去除所述导电膜及所述第一绝缘膜，而形成栅极电极及从该栅极电极延伸至衬底侧的栅极配线的步骤。