[发明专利]具有本体控制的双沟道晶体管及具有该晶体管的电路有效
| 申请号： | 200980103580.4 | 申请日： | 2009-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101952964A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | F·维贝尔莱特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过提供具有本体控制的双沟道晶体管(200、400、500P、500N)，使得增加功能与提升稳定度的结合可被实现。例如，用于静态随机存取内存单元(RAM cells)(560)的触发器电路(550)可由具有本体控制的双沟道晶体管(200、400、500P、500N)形成，因此，减少每单元所需求的晶体管数量，如此可导致信息密度增加。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 本体 控制 沟道 晶体管 电路 | ||
【主权项】：
一种装置，包含：场效晶体管(200、400、500P、500N)，包含：漏极区域和源极区域(204)，具有第一导电类型；本体区域(202B)，至少形成于该漏极区域和该源极区域(204)之间，该本体区域(202B)具有不同于该第一导电类型的第二导电类型；栅极电极(205)，形成在该本体区域(202B)的沟道区域(203)之上，该栅极电极(205)通过绝缘层(206)与该沟道区域(203)分离；掺杂区域(203B)，位于该漏极区域与该源极区域(204)之间，且具有该第一导电类型；以及本体终端(208A、408A)，连接至该本体区域(202B)，并配置成用以接收可变控制电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
