[发明专利]太阳能电池的制造方法、太阳能电池的制造装置以及太阳能电池有效
| 申请号： | 200980103616.9 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101933154A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 山室和弘;佐藤诚一;矢作充;汤山纯平;中村久三 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种太阳能电池的制造方法，形成包含多个分区单元(21、21s)、彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间被电连接的光电转换体(12)，确定所述光电转换体(12)之中具有结构缺陷(R、A1、A2、A3)的第一分区单元(21s)，根据在彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间测量多个位置的电阻值而获得的电阻值的分布，来确定缺陷部位，从而限定在所述第一分区单元(21s)内存在结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位，以横穿所述第一分区单元(21s)和与所述第一分区单元(21s)相邻的第二分区单元(21)之间的边界部(19)的方式，对所述第一分区单元(21s)和所述第二分区单元(21)照射激光光线，去除或分离所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)，其中，所述第一分区单元(21s)包含存在所述结构缺陷(R、A1、A2、A3)的部位。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 装置 以及 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，形成包含多个分区单元、彼此相邻的所述分区单元之间被电连接的光电转换体，确定所述光电转换体之中具有结构缺陷的第一分区单元，根据在彼此相邻的所述分区单元之间测量多个位置的电阻值而获得的电阻值的分布，来确定缺陷部位，从而限定在所述第一分区单元内存在结构缺陷的部位，以横穿所述第一分区单元和与所述第一分区单元相邻的第二分区单元之间的边界部的方式，对所述第一分区单元和所述第二分区单元照射激光光线，去除或分离所述结构缺陷，其中，所述第一分区单元包含存在所述结构缺陷的部位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
