[发明专利]用以制造复合氮化物半导体元件的处理系统

摘要

用来制造复合氮化物半导体元件的处理系统的一实施方式包含：一或多个处理腔室，可操作这些处理腔室以在一基板上形成一复合氮化物半导体层；一传送腔室，与该处理腔室耦接；一加载锁定腔室，与该传送腔室耦接；和一加载站，与该加载锁定腔室耦接；其中该加载站包含一输送盘，可移动该输送盘以传送加载有一或多个基板的一承载板进入该加载锁定腔室内。相较于单一腔室反应器来说，此多腔室处理系统可扩展复合结构的潜在复杂性与多样性。此外，此系统可通过使单独的腔室只执行特定外延生长工艺而达成较高的品质与产率。通过在多个腔室内同时进行处理而能提高产出率。

主权项

(原始)一种用以制造复合氮化物半导体元件的集成的处理系统，包含：一或多个壁，该一或多个壁形成一传送区；一机械手，该机械手经设置于该传送区中；一或多个处理腔室，可操作该一或多个处理腔室以在一基板上形成一或多个复合氮化物半导体层，该一或多个处理腔室可传送式地联通该传送区；一加载锁定腔室，该加载锁定腔室可传送式地联通该传送区，该加载锁定腔室具有一进气阀与一排气阀用以接收至少一个基板到一真空环境中；和一加载站，与该加载锁定腔室联通，其中该加载站包含一输送盘，可移动该输送盘以输送加载有一或多个基板的一承载板进入该加载锁定腔室内。